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Compound Semiconductor
R&D,manufacturing and service provider
化合物半導體
研發制造與服務公司
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GaAs
設計流程環境 (Design flow environment): 三安集成與業內領先的EDA工具供應商(如KEYSIGHT & Cadence)緊密地通力合作,開發并提供優異的計算機輔助設計(Computer-Aided Design; CAD)支援予設計者使用,并解決任何電路設計過程中問題。
仿真與模型支持 (Simulation and Model support) : 三安集成具備提供準確器件仿真能力,包含仿真的單胞器件(unit cell device) 設計、直流與射頻高低溫量測(DC & RF measurement)、模型萃取與建立等。
產品測試(Product testing) : 三安集成具備提供產品端直流與射頻特性測試量測能力,包含探針卡設計、制作,測試程序編譯、量測、除錯,與良率分析改善及器件失效分析等完整在片測試服務,與客戶共同加速開發并解決測試支持不足情況。
Introduction
01
三安在HBT工藝開發上提供完整不同應用領域之產品滿足多樣性的無線通信需求。 市場應用面上,也由手持式無線通信,沿伸至物聯網需求應用下5G產品的技術領域開發。
Process Application Features PDK Download
H20HL 3G/4G/Wi-Fi PA, Gain Block High Linearity and PAE PDK Download
H20HR Walkei-talkie, 2G PA High Ruggedness, VSWR > 25:[email protected] bias PDK Download
H20HG 3G/4G/Wi-Fi PA/Sub-6G/TX module,Gain Block 1. High current gain up to 120
2. High Linearity and high ruggedness;
3. 5G product application; sub-6G range
PDK Download
H20HV Small Cell PA 1. High BV; BVceo of 28V and BVcbo of 55V
2. Suitable on 12V operation and small cell application
PDK Download
H20VC Low Phase Noise InGaP HBT- Low Phase Noise, Voltage Controlled Oscillator VCO PDK Download
Introduction
02
三安在GaAs pHEMT工藝開發上提供完整不同應用領域之產品,應用頻率覆蓋至Ka波段。產品種類多樣化,滿足多樣性的市場需求。 0.15μm T-gate工藝采用可變成型電子束實現,具有良好的晶圓片內一致性以及較高的產能,同時具備往更小線寬延伸的能力。
Process Application Features PDK Download
P50SW RF Switch 1. 0.5μm D-mode normal gate process
2. PiN diode for ESD protection
PDK Download
P25ED1 LNA/Logic/RF Switch 1. 0.5μm E-Mode & 1.0μm D-Mode pHEMT for logic
2. 0.25μm D-Mode T-gate pHEMT for PA, LNA and switch
3. NFmin < 0.65dB @6GHz
4. Power density > 900 mW/mm. (@10GHz)
5. High fT (~45 GHz) & fMax (~120 GHz)
PDK Download
P25ED2 LNA/Logic/RF Swith/PA 1. 0.5μm E-Mode & 1.0μm D-Mode pHEMT for logic
2. 0.25μm D-Mode T-gate pHEMT for PA, LNA and switch
3. NFmin < 0.65dB @6GHz
4. Power density > 900 mW/mm. (@10GHz)
5. High fT (~45 GHz) & fMax (~120 GHz)
PDK Download
P25PA1 PA/Gain Block 1. 0.25μm D-mode T-gate process with Air Bridge
2. Power density > 1,000 mW/mm. (@10GHz)
3. High fT (~58 GHz) & fMax (~160 GHz)
PDK Download
P25PA2 RF Switch/PA/Gain Block 1. 0.25μm D-mode T-gate process with Air Bridge
2. Power density > 1,000 mW/mm. (@10GHz)
3. High fT (~39 GHz) & fMax (~110 GHz)
PDK Download
P15LN Low noise amplifier & LNB 1. 0.15μm D-mode T-gate process with Air Bridge
2. NFmin < 0.4dB, and Ga >14dB @12GHz
3. 0.5μm E/D-mode gate process for logic
PDK Download
P15PA Ku/K/Ka bands power amplifier 1. 0.15μm D-mode T-gate process with Air Bridge
2. High fT (~85 GHz) & fMax (~172 GHz)
3. Power density > 700 mW/mm. (@29GHz)
PDK Download
P15ED LNA/Logic/RF Swith/PA 1. 0.5μm E-Mode & 1.0μm D-Mode pHEMT for logic
2. 0.15μm D-Mode T-gate pHEMT for PA, LNA and switch
3. Power density > 600 mW/mm. (@29GHz)
4. High fT (~64 GHz) & fMax (~165 GHz)
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P15EP Low noise and medium power applications 1. 0.15μm E-mode T-gate process
2. 0.5μm E/D-mode gate process for logic
3. High Ft (~85GHz) & fMax (~155GHz)
4. High Gm (~1000mS/mm)
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Introduction
03
三安IPD為可客制化的制程,厎材為高絕緣,高阻抗,故可提供射頻所需高性能的整合性被動元件的需求,如電阻,電感,電容等.
Process Application Features PDK Download
IPDPI High Q RF Passive - Filter and Matching/Bias Network Multiple metal layers inter-connection with polyimide dielectric and integrated Resistance, capacitance, inductance circuit components PDK Download
IPDAB High Q RF Passive - Filter and Matching/Bias Network Multiple metal layers inter-connection with air bridge structure and integrated Resistance, capacitance, inductance circuit components PDK Download
Introduction
04
異質結雙極暨假晶高電子遷移率晶體管外延芯片(BiHEMT)的設計是基于硅基的BiCMOS的概念,但其不同的地方在于,通過電路設計借助外延生長及芯片工藝將InGaP HBT線性功率放大器、AlGaAs pHEMT高頻開關、AlGaAs pHEMT邏輯控制電路、AlGaAs pHEM低噪聲的功率放大器、被動組件及內部連接線路整合在單一砷化鎵芯片中。由于可以提高芯片整合度,降低芯片尺寸,使得材料與制造成本下降,BiHEMT近來已經成為砷化鎵微波電路的新趨勢。
Process Application Features PDK Download
B25ED Wi-Fi PA/LNA/RF Switch 1. 0.25μm T-gate E-mode by e-beam writer
2. Lower NFmin of 0.4dB
3. Lower switching time and less than 250 fs
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B50ED Wi-Fi PA/LNA/RF Switch 1. 0.5μm T-gate E-mode by e-beam writer
2. Lower NFmin of 0.5dB
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