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Compound Semiconductor
R&D,manufacturing and service provider
化合物半導體
研發制造與服務公司
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Foundry Services Process
高效節能領域的演進推動了以寬禁帶(Wide Band Gap)半導體材料(碳化硅(SiC)或氮化鎵(GaN))功率器件為代表的下一代電力轉換技術的發展。相較于傳統的硅基器件,寬禁帶半導體器件可以工作在更高的電壓及更高的溫度下。此外,它們可以操作在更高的開關頻率,從而獲得更低的開關損耗。以上優點可以使功率系統效率更高、體積更小、重量更輕、以及整體成本更低。得益于以上優點,寬禁帶半導體方案正在各個應用領域引領著變革,其中包括消費類電子用電源適配器、數據中心、電動汽車(EV)、工業電機、無線充電和可再生能源采集等。
Introduction
01
氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)等寬帶隙材料技術為功率轉換技術的電路/系統設計提供了更多的選擇,使SI MOSFETs具有更高的開關頻率、效率和功率密度。三安集成的氮化鎵(GaN) E-HEMT技術的目標是服務于消費者和工業應用,如適配器/充電器,電信/服務器smp,無線電源,車載充電器(OBC)和成本有效的解決方案。
Process Application Features PDK Download
650V 0.5um GaN/Si Adapter/Charger,
Telecom/server SMPS,
Wireless power,
PV Inverters,
On board Charger (OBC)
0.5um P-GaN Technology;
M1/M2 Interconnection (M3 Coming Soon);
8~10 mil Wafer Thickness;
Back Metal+Dicing;
Under Qualification;
PDK Download
200V/100V 0.5um GaN/Si DC-DC for POE, EV architecture, and LED headlamp;
HD audio;
Motors Inverter;
Coming Soon PDK Download
Introduction
02
氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)等寬帶隙材料技術為功率轉換技術的電路/系統設計提供了更多的選擇,使硅mosfet具有更高的開關頻率、更高的效率和更高的功率密度。三安的GaN E-HEMT技術的目標是服務于消費者和工業應用,如適配器/充電器,電信/服務器smp,無線電源,車載充電器(OBC)和成本有效的解決方案。
Process Application Features PDK Download
650V/1200V SiC JBS DC/AC inverter
Power Factor Correction Circuit(PFC)
Switch Mode Power Supplies
Wide device rating: 2-40A
Short recovery time
Zero reverse recovery current
Temperature-independent performance
High-speed switching
PDK Download
SiC MOSFET Renewable
energy,HEV/EV,SMPS
Coming Soon PDK Download
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